Работаем:
9:00 - 18:00, Пн. - Пт.
Работаем:
9:00 - 18:00, Пн. - Пт.
Позвонить
Написать

| Код ТН ВЭД | Наименование |
|---|---|
| 8541 10 | Приборы полупроводниковые (например, диоды, транзисторы, преобразователи на основе полупроводников); фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светодиоды (LED), собранные или не собранные с другими светодиодами (LED); пьезоэлектрические кристаллы в сборе:диоды, кроме фотодиодов или светодиодов (LED) |
| 8541 21 | Приборы полупроводниковые (например, диоды, транзисторы, преобразователи на основе полупроводников); фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светодиоды (LED), собранные или не собранные с другими светодиодами (LED); пьезоэлектрические кристаллы в сборе:транзисторы, кроме фототранзисторов:мощностью рассеивания менее 1 Вт |
| 8541 29 | Приборы полупроводниковые (например, диоды, транзисторы, преобразователи на основе полупроводников); фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светодиоды (LED), собранные или не собранные с другими светодиодами (LED); пьезоэлектрические кристаллы в сборе:транзисторы, кроме фототранзисторов:прочие |
| 8541 30 | Приборы полупроводниковые (например, диоды, транзисторы, преобразователи на основе полупроводников); фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светодиоды (LED), собранные или не собранные с другими светодиодами (LED); пьезоэлектрические кристаллы в сборе:тиристоры, динисторы и тринисторы, кроме фоточувствительных приборов |
| 8541 40 | "Диоды, транзисторы и аналогичные полупроводниковые приборы; фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светоизлучающие диоды; пьезоэлектрические кристаллы в сборе:приборы полупроводниковые фоточувствительные, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светоизлучающие диоды" |
| 8541 41 | Приборы полупроводниковые (например, диоды, транзисторы, преобразователи на основе полупроводников); фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светодиоды (LED), собранные или не собранные с другими светодиодами (LED); пьезоэлектрические кристаллы в сборе:приборы полупроводниковые фоточувствительные, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светодиоды (LED):светодиоды (LED) |
| 8541 42 | Приборы полупроводниковые (например, диоды, транзисторы, преобразователи на основе полупроводников); фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светодиоды (LED), собранные или не собранные с другими светодиодами (LED); пьезоэлектрические кристаллы в сборе:приборы полупроводниковые фоточувствительные, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светодиоды (LED):элементы фотогальванические, не собранные в модули или не вмонтированные в панели |
| 8541 43 | Приборы полупроводниковые (например, диоды, транзисторы, преобразователи на основе полупроводников); фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светодиоды (LED), собранные или не собранные с другими светодиодами (LED); пьезоэлектрические кристаллы в сборе:приборы полупроводниковые фоточувствительные, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светодиоды (LED):элементы фотогальванические, собранные в модули или вмонтированные в панели |
| 8541 49 | Приборы полупроводниковые (например, диоды, транзисторы, преобразователи на основе полупроводников); фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светодиоды (LED), собранные или не собранные с другими светодиодами (LED); пьезоэлектрические кристаллы в сборе:приборы полупроводниковые фоточувствительные, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светодиоды (LED):прочие |
| 8541 50 | "Диоды, транзисторы и аналогичные полупроводниковые приборы; фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светоизлучающие диоды; пьезоэлектрические кристаллы в сборе:приборы полупроводниковые прочие" |
| 8541 51 | Приборы полупроводниковые (например, диоды, транзисторы, преобразователи на основе полупроводников); фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светодиоды (LED), собранные или не собранные с другими светодиодами (LED); пьезоэлектрические кристаллы в сборе:прочие приборы полупроводниковые:преобразователи на основе полупроводников |
| 8541 59 | Приборы полупроводниковые (например, диоды, транзисторы, преобразователи на основе полупроводников); фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светодиоды (LED), собранные или не собранные с другими светодиодами (LED); пьезоэлектрические кристаллы в сборе:прочие приборы полупроводниковые:прочие |
| 8541 60 | Приборы полупроводниковые (например, диоды, транзисторы, преобразователи на основе полупроводников); фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светодиоды (LED), собранные или не собранные с другими светодиодами (LED); пьезоэлектрические кристаллы в сборе:кристаллы пьезоэлектрические собранные |
| 8541 90 | Приборы полупроводниковые (например, диоды, транзисторы, преобразователи на основе полупроводников); фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светодиоды (LED), собранные или не собранные с другими светодиодами (LED); пьезоэлектрические кристаллы в сборе:части |
ПРАВИТЕЛЬСТВО РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ПОСТАНОВЛЕНИЕ от 17 июля 2015 года N 719О подтверждении производства российской промышленной продукции * Требования к промышленной продукции, предъявляемые в целях ее отнесения к российской промышленной продукции*
(Позиция из 26.11.22.200, 26.11.22.210, 26.11.22.211, 26.11.22.212, 26.11.22.213, 26.11.22.214, 26.11.22.215 дополнительно включена с 1 января 2026 года постановлением Правительства Российской Федерации от 15 декабря 2025 года N 2033)
26.11.22.215
72. Продукция, классифицируемая кодами по ОК 034-2014 (КПЕС 2008) из 26.11.22.200, 26.11.22.210, 26.11.22.211, 26.11.22.212, 26.11.22.213, 26.11.22.214, 26.11.22.215 и включенная в раздел IV настоящего приложения, может быть отнесена к российской промышленной продукции при условии достижения в совокупности следующего суммарного количества баллов за выполнение на территории Российской Федерации указанных в разделе IV настоящего приложения операций для каждой единицы продукции:
Полупроводниковые излучатели ИК-диапазона (800-3000 нм) на базе структур AlGaAs/GaAs/InGaAs. Основные параметры:
- Диапазон излучения: 850/940/1550 нм (±2%)
- Угол рассеивания: 15°-160°
- Мощность: 50 мВт – 5 Вт
- Корпусное исполнение: SMD/SMA/TO-46
Технология производства: MOCVD-эпитаксия с фотолитографией. Срок годности: 2 года при t=5-25°C, влажности ≤60%. Упаковка: антистатические контейнеры ESD Safe с маркировкой по ГОСТ 31888-2021.
1. Свидетельство о регистрации техпроцесса по СТО 2345-2024
2. Протоколы испытаний от аккредитованных ЦИС (центров испытаний светотехники)
3. Декларация о составе материалов согласно РПН №222-Р от 2025 г.
4. Договор на утилизацию отходов II класса опасности
| ТН ВЭД | Описание | Особенности тарификации |
|---|---|---|
| 8541 40 900 0 | Полупроводниковые светоизлучающие диоды | Пошлина 0% для ЕАЭС, НДС 20% |
| 8539 32 000 9 | Лампы светодиодные прочие | Антидемпинговая пошлина 23.5% |
Оформление документов в Минпромторг
Нужна помощь профессионалов?